收藏本站
IRL630S, SiHL630S
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
10
VGS
TOP 7.50V
5.00V
4.00V
3.50V
3.00V
2.75V
2.50V
BOTTOM 2.25V
100
10
T J = 150°C
1
T J = 25°C
1
2.25V
0.1
0.1
0.1
20μs PULSE WIDTH
T c = 25°C
1 10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
A
0.01
2.0
V DS = 50V
20μs PULSE WIDTH
2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
A
5.0
Fig. 1 - Typical Output Characteristics, T C = 25 °C
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
100
VGS
TOP 7.50V
5.00V
4.00V
3.50V
3.00V
2.75V
2.50V
BOTTOM 2.25V
2.5
2.0
I D = 9.0A
10
1.5
2.25V
1.0
1
0.5
20μs PULSE WIDTH
V GS = 5.0V
0.1
0.1
1
T C = 150°C
10
100
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
A
80 100 120 140 160
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics, T C = 150 °C
Document Number: 90390
S11-1044-Rev. C, 30-May-11
T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
www.vishay.com
3
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRL640A MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
IRL640L MOSFET N-CH 200V 17A TO-262
IRL640STRR MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
IRLBD59N04ETRLP MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
IRLD014 MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
IRLHM620TR2PBF MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
IRLI2203N MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
IRLI2505 MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP
相关代理商/技术参数
IRL630STRRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL631 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB
IRL6342PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 14.6mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL6342TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 9.9A 14.6mOhm 2.5V cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL6372PBF 功能描述:MOSFET 30V DUAL N-CH LO LOGIC LEVEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL6372TRPBF 功能描述:MOSFET DUAL MOSFT 8.1A 2.5V 18mOhm drv cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL640 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL640A 功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube